2006년 CREE는 새로운 쿨 화이트 LED인 “XP.G”는 발광 효율과 밝기에서 새로운 기록을 세웠습니다.구동 전류가 350mA일 때 광속은 139lm에 도달하고 광효율은 1 ~ lm/W입니다.밝기와 발광 효율은 Cree의 더 밝은 XR보다 각각 37%와 53% 더 높습니다."업계의 더 밝고 고효율의 조명용 LED"라고 불리는 ELED.
2007년 Nichia는 새로운 유형의 LED를 출시했습니다.실험 제품은 순방향 전류 350mA, 광효율 약 134lm/w, 칩 크기 1m 조건에서 최대 145m의 광속을 갖는다.㎡, 색온도는 4988K(Ir=20mA인 경우), 광효율은 169lm/W로 높다.
2007년 미국 CREE사는 SIC 기판 위에 이중 이종접합을 성장시켰고, 생산된 소자도 우수했다.SiC 기판은 기판 하단에 Gabl 기반 LED의 금속 전극을 제작할 수 있으며, 저저항 전도성 기판을 통해 전류가 수직으로 흐를 수 있어 다른 광전자 소자 개발의 기반도 마련된다.
같은 해에 Nichia는 차세대 고전력 백색 LED를 출시했습니다.350mA 전류 입력의 광속은 145lm이고 발광 효율은 134lm/W입니다.백색 LED가 고효율인 이유는 사용되는 청색 LED 칩의 고효율을 구현하기 위함이다.청색 LED를 350mA로 구동시켰을 때 광출력은 651mW, 파장은 444nm, 외부양자효율은 66.5%, WPE는 60.3%이다.
같은 해에 Nichia는 발광 효율이 150lm/W인 백색 LED를 생산하기 시작했습니다.이 LED의 효율은 당시 업계에서 더 높은 수준을 나타내며 순방향 전류가 20mA인 유형은 1001m/W입니다.
2009년 초에 CREE는 161 lm/W의 조명 효과와 4 689K의 색온도를 달성했다고 발표했습니다.이 LED에 대한 표준 테스트 조건은 실온 및 350mA의 구동 전류에서 수행됩니다.
2009년 말 CREE는 백색광 고출력 LED 발광 효율이 1 86 lm/W를 달성했다고 발표했습니다.CREE 테스트 결과는 상관 색온도가 4577K일 때 LED가 1971m의 광 출력을 생성할 수 있음을 보여줍니다.테스트는 실온에서 구동 전류가 350mA인 표준 테스트 환경에서 수행됩니다.
2009년 초 Nichia의 실험실 결과에 따르면 LED의 발광 효율은 20mA에서 2491W 저항으로 증가했습니다.그러나 LED 산업에서 일반적으로 사용되는 350mA 전류의 경우 발광효율이 1451W로 낮아져 업계의 주목을 받고 있다.
2011년에 Osram의 R&D 엔지니어들은 LED 제조와 관련된 모든 기술을 완전히 개선했습니다.실험실 테스트에서 새로 개발된 백색 LED는 회사의 밝기와 발광 효율 기록을 세웠습니다.작동 전류 350mA의 표준 조건에서 LED 밝기는 155lm에 도달할 수 있으며 발광 효율은 136lm/w만큼 높습니다.백색광 LED 프로토타입은 1m㎡칩에서 방출된 빛의 색온도는 5000K이고 색도 좌표는 0.349/0.393(cx/cy)입니다.
2011년 CREE는 백색 LED 조명 효율이 231lm/W를 초과했다고 발표했습니다.이 회사는 단일 모듈 구성 요소를 사용했으며 450OK의 색 온도와 350mA의 표준 테스트 실내 온도에서 23llm/W의 백색 LED 발광 효율을 측정했습니다.현재 LED의 다양한 지표는 여전히 지속적으로 개발되고 있습니다.응용 분야가 넓어짐에 따라 LED 램프 비드에 대한 요구 사항도 점차 다양해지고 있습니다..
게시 시간: 2021년 12월 24일